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Teststruktur zur Untersuchung von Prozessvariationen durch Verwendung von unsymmetrischen MOS Devices

IP.com Disclosure Number: IPCOM000126181D
Original Publication Date: 2005-Aug-10
Included in the Prior Art Database: 2005-Aug-10
Document File: 2 page(s) / 1M

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Prozessschwankungen von beispielsweise Gatelaengen und Diffusionsbreiten sowie Misalignment dieser Ebenen haben zunehmend Einfluss auf die Funktionalitaet von integrierten VLSI-Schaltungen (Very Large Scale Integration). Um diese Einfluesse quantifizieren zu koennen, ist eine genaue Messung dieser Effekte erforderlich. Bislang wird die Bestimmung mit den Methoden REM (Rasterelektronenmikroskopie) und TEM (Transmissionselektronenmikroskopie) durchgefuehrt. Diese sind jedoch relativ kostenintensiv und dabei vergleichsweise ungenau.

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Teststruktur zur Untersuchung von Prozessvariationen durch Verwendung von unsymmetrischen MOS Devices

Idee: Wolfgang Grimm, DE-Muenchen; Dr. Juergen Lindolf, DE-Muenchen

Prozessschwankungen von beispielsweise Gatelaengen und Diffusionsbreiten sowie Misalignment dieser Ebenen haben zunehmend Einfluss auf die Funktionalitaet von integrierten VLSI-Schaltungen (Very Large Scale Integration). Um diese Einfluesse quantifizieren zu koennen, ist eine genaue Messung dieser Effekte erforderlich. Bislang wird die Bestimmung mit den Methoden REM (Rasterelektronenmikroskopie) und TEM (Transmissionselektronenmikroskopie) durchgefuehrt. Diese sind jedoch relativ kostenintensiv und dabei vergleichsweise ungenau.

In den Abbildungen 1 bis 4 werden Strukturen vorgeschlagen, mit denen derartige Schwankungen durch elektrische Messungen sehr genau ermittelt werden. Hierbei wird durch asymmetrische Wahl von Gate oder Diffusion bei einem MOS (Metal Oxide Semiconductor) Transistor der nichtlineare Einfluss von Gatelaengenvariationen auf die Strom-Spannungscharakteristik ausgenutzt.

Abb. 1: Ausfuehrungsvariante

Abb. 2: Ausfuehrungsvariante

© SIEMENS AG 2005 file: ifx_2005J51890.doc page: 1

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Abb. 3: Ausfuehrungsvariante zur Bestimmung von Dejustierungen GC vs. Diffusion in Y- Richtung

Abb. 4: Ausfuehrungsvariante zur Bestimmung von Dejustierungen GC vs. Diffusion in X- und Y-Richtung

© SIEMENS AG 2005 file: ifx_2005J5...