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Alternatives Trennverfahren fuer pre-taped DBG-Wafer

IP.com Disclosure Number: IPCOM000126222D
Original Publication Date: 2005-Aug-10
Included in the Prior Art Database: 2005-Aug-10
Document File: 2 page(s) / 297K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Um das Problem des Handings duenner Wafer zu loesen, existiert eine Methode, die es erlaubt, aus dem dicken, ungeschliffenen Wafer duenne Halbleiterchips herzustellen, ohne im Prozessverlauf mit duennen Wafern verfahren zu muessen (DBG - Dicing before Grinding). Dazu wird der zunaechst dicke Wafer von der aktiven Seite aus angesaegt, anschliessend mit der aktiven Seite auf eine Schleiffolie laminiert und dann von der Rueckseite aus duenngeschliffen, bis die Ansaegekerbe von der aktiven Seite auf der Rueckseite erscheint. Damit sind die Chips gleichzeitig duenn und singuliert. In einem letzten Schritt wird der gesaegte Wafer umlaminiert, damit die aktive Seite von oben zugaenglich wird. Fuer die Loesung des Problems der Montage duenner Halbleiterchips auf Substrate mittels zaehfluessigem Kleber existieren Materialien, die in fester Form auf der Waferrueckseite des geschliffenen Wafers auflaminiert werden (Die Attach Film). Dieser Verbund wird anschliessend wie gewohnt auf Saegefolie auflaminiert und so gesaegt, dass das feste Klebermaterial buendig mit dem Chip singuliert wird. Dabei ist die Haftkraft am Chip hoeher als an der Saegefolie. Beim anschliessenden Die Bond Prozess wird der Chip gemeinsam mit dem festen Klebermaterial von der Saegefolie geloest und auf das Substrat aufgesetzt.

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S

Alternatives Trennverfahren fuer pre-taped DBG-Wafer

Idee: Michael Bauer, DE-Regensburg; Christian Stuempfl, DE-Regensburg; Thomas Schollmaier,

DE-Regensburg

Um das Problem des Handings duenner Wafer zu loesen, existiert eine Methode, die es erlaubt, aus dem dicken, ungeschliffenen Wafer duenne Halbleiterchips herzustellen, ohne im Prozessverlauf mit duennen Wafern verfahren zu muessen (DBG - Dicing before Grinding). Dazu wird der zunaechst dicke Wafer von der aktiven Seite aus angesaegt, anschliessend mit der aktiven Seite auf eine Schleiffolie laminiert und dann von der Rueckseite aus duenngeschliffen, bis die Ansaegekerbe von der aktiven Seite auf der Rueckseite erscheint. Damit sind die Chips gleichzeitig duenn und singuliert. In einem letzten Schritt wird der gesaegte Wafer umlaminiert, damit die aktive Seite von oben zugaenglich wird.

Fuer die Loesung des Problems der Montage duenner Halbleiterchips auf Substrate mittels zaehfluessigem Kleber existieren Materialien, die in fester Form auf der Waferrueckseite des geschliffenen Wafers auflaminiert werden (Die Attach Film). Dieser Verbund wird anschliessend wie gewohnt auf Saegefolie auflaminiert und so gesaegt, dass das feste Klebermaterial buendig mit dem Chip singuliert wird. Dabei ist die Haftkraft am Chip hoeher als an der Saegefolie. Beim anschliessenden Die Bond Prozess wird der Chip gemeinsam mit dem festen Klebermaterial von der Saegefolie geloest und auf das Substrat aufgesetzt.

Das neue technische Problem besteht nun darin, diese beiden Verfahren zu kombinieren. Das DBG- Verfahren erzeugt die Rueckseite des duennen Chips durch Schleifen, wom...