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Bondjustagestruktur

IP.com Disclosure Number: IPCOM000130566D
Published in the IP.com Journal: Volume 5 Issue 11A (2005-11-25)
Included in the Prior Art Database: 2005-Nov-25
Document File: 2 page(s) / 567K

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

Bei Leistungs-IC’s (IC, Integrated Circuit) erfolgt die elektrische Kontaktierung der Leistungstransistoren (z.B. DMOS, Diffusion Metal Oxide Semiconductor) ueber direktes Bonden (verbinden) auf aktivem Gebiet, d.h. unter der Bondung liegen aktive Transistorzellen. Eine Abweichung von der idealen Bondposition kann zu erhoehten Einschaltwiderstaenden und erhoehten Stromdichten fuehren, wodurch die Zuverlaessigkeit der Bauteile beeintraechtigt wird. Es ist daher wuenschenswert eine gezielte Bondung sicherzustellen Bisher werden Leistungstransistoren mit einer Imid- und/oder Schutznitrid-Passivierung prozessiert. Diese Passivierungsschicht wird dann im weiteren Prozessverlauf in den Bond-Zielbereichen geoeffnet, wodurch ein Anhaltspunkt entsteht, welcher die genaue Justage der Bonddraehte auf den aktiven DMOS Gebieten sicherstellt. Bei Prozessfuehrungen, bei denen auf herkoemmliche Passivierungsschichten ueber der Leistungsmetallisierung verzichtet wird, entfaellt die Moeglichkeit, ueber Oeffnungen in der Passivierung die Bonddraehte zu justieren. Neue Metallisierungskonzepte, bei denen die Leistungsmetallisierung die oberste Schicht darstellt, bieten jedoch einige Vorteile, wie beispielsweise robustere Bauelemente.

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S

Bondjustagestruktur

Idee: Hubert Meier, AT-Villach; Dr. Thomas Detzel, AT-Villach; Dr. Wolfgang Werner, DE-

Muenchen; Dr. Michael Rueb, AT-Villach

Bei Leistungs-IC's (IC, Integrated Circuit) erfolgt die elektrische Kontaktierung der Leistungstransistoren (z.B. DMOS, Diffusion Metal Oxide Semiconductor) ueber direktes Bonden (verbinden) auf aktivem Gebiet, d.h. unter der Bondung liegen aktive Transistorzellen. Eine Abweichung von der idealen Bondposition kann zu erhoehten Einschaltwiderstaenden und erhoehten Stromdichten fuehren, wodurch die Zuverlaessigkeit der Bauteile beeintraechtigt wird. Es ist daher wuenschenswert eine gezielte Bondung sicherzustellen

Bisher werden Leistungstransistoren mit einer Imid- und/oder Schutznitrid-Passivierung prozessiert. Diese Passivierungsschicht wird dann im weiteren Prozessverlauf in den Bond-Zielbereichen geoeffnet, wodurch ein Anhaltspunkt entsteht, welcher die genaue Justage der Bonddraehte auf den aktiven DMOS Gebieten sicherstellt.

Bei Prozessfuehrungen, bei denen auf herkoemmliche Passivierungsschichten ueber der Leistungsmetallisierung verzichtet wird, entfaellt die Moeglichkeit, ueber Oeffnungen in der Passivierung die Bonddraehte zu justieren. Neue Metallisierungskonzepte, bei denen die Leistungsmetallisierung die oberste Schicht darstellt, bieten jedoch einige Vorteile, wie beispielsweise robustere Bauelemente.

Die folgende Idee bietet eine neuartige Loesung der Problematik, indem in der Metallisierungsmaske enge Oeffnungen eingebracht werden. Diese Oeffnungen sind in der Art dimensioniert, dass durch die verwendete Aetzchemie die Oberflaeche angegriffen wird jedoch bei gleichzeitiger Vermeidung von Durchaetzung der Metallschicht. Die Umsetzung der Idee ist in Abb. 1 schematisch anhand einer Einlagenmetallisierung, wie sie etwa bei HV (Hochvolt) oder NV (Niedervolt) Leistungstransistoren eingesetzt wird, dargestellt. Die so entstande...