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Schäumung von kleinen Formteilen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000200735D
Publication Date: 2010-Oct-27
Document File: 3 page(s) / 20K

Publishing Venue

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Abstract

Die Veröffentlichung befasst sich mit der Verwendung von Mikrowellenstrahlung zur Herstellung von kleinteiligen und geschäumten Formartikeln aus Siliconkautschuk. Die Herstellung der schäumbaren Basismischung aus Siliconkautschuk mit geeigneten Additiven sowie das Verfahren der Herstellung der Formartikel werden genau beschrieben. Von besonderer Bedeutung ist hierbei die gewählte Strahlungsleistung, da eine effektive Schäumung nur unter Einhaltung eines bestimmten Leistungsbereiches gelingt.

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Schäumung von kleinen Formteilen

Die Patentanmeldung EP 1 900 767 A1 beschreibt geeignete durch
Mikrowellenbestrahlung aufschäumbare Silikonmaterialien.

5

Es wurde gefunden, dass in einer besonders bevorzugten Ausfüh-
rungsform die erfindungsgemäße Zusammensetzung, der durch Mik-
rowellenbestrahlung aufschäumbare Silikonmaterialien gemäß EP 1
900 767 A1, folgende Bestandteile enthält:

10

(A) Zumindest eine Verbindung, die organische Reste aufweist,
die zur Vernetzung geeignet sind,

(B) zumindest ein Treibmittel, das bei Erwärmung Gas, Dampf


15 oder Rauch freisetzt, Kristallwasser oder Interchalatwasser
aufweist,

(C) Magnetit.

20

Es hat sich gezeigt, dass für die Herstellung von kleinvolumi-
gen Formkörpern(üblicherweise im Bereich bis zu einigen cm3)

der Schäumprozess einer besonderen Prozessführung benötigt, da
sonst die Schaumeigenschaften des hergestellten Formkörpers un-


25 zureichende Eigenschaften zeigen. Um ein geeignetes Aufschäumen
der erfindungsgemäßen aufschäumbaren Silikonmaterialien gemäß
der Patentanmeldung EP 1 900 767 A1 zu erreichen, muss die Mir-
kowellenleistung mindestens 400 W betragen.

30 In den nachstehend beschriebenen Beispielen beziehen sich alle Angaben von Teilen und Prozentsätzen, falls nicht anders ange-
geben, auf das Gewicht. Sofern nicht anders angegeben, werden
die nachstehenden Beispiele bei einem Druck der umgebenden At-
mosphäre, also etwa bei 1000 hPa, und bei Raumtemperatur, also


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bei etwa 20°C, bzw. bei einer Temperatur, die sich beim Zusam-
mengeben der Reaktanden bei Raumtemperatur ohne zusätzliche
Heizung oder Kühlung einstellt, durchgeführt.

5 Die folgenden Beispiele zeigen die Herstellung eines Formteils
aus geschäumtem Silikonkautschuk mit niedriger Härte unter Ein-
satz von Mikrowellenstrahlung mit definierter Porenstruktur.

Beispiel 1 (Pt-Vernetzung mikrowellenaktiv):

10

Auf einer Walze oder in einem Kneter werden 100 Teile einer
platinvernetzenden Siliconkautschukmischung mit Vulkansiation-
sadditiven f...