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Vollpolymere und gedruckte Gleichrichterdiode

IP.com Disclosure Number: IPCOM000011498D
Original Publication Date: 2003-Mar-25
Included in the Prior Art Database: 2003-Mar-25

Publishing Venue

Siemens

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Abstract

In der Polymerelektronik werden organische, halbleitende Polymere zur Herstellung elektronischer Bauelemente verwendet. Bisher ist es gelungen Transistoren aus Polymermaterialien herzustellen. Fuer den weiteren Schaltungsaufbau sind noch andere Bauteile, insbesondere die Diode, notwendig. Problematisch ist dabei, dass zur Herstellung einer Diode immer noch ein Metall erforderlich ist. Ein Beispiel ist Calcium bei OLED’s (organic light emitting diodes). Die Verwendung des Metalls erlaubt aber den Einsatz von Drucktechniken nicht, die ueblicherweise bei organischen Schaltungen angewendet werden. Aus diesem Grund war es bisher nicht moeglich, Dioden in organische Schaltungen zu integrieren. Falls Dioden in organischen Schaltungen gebraucht wurden, konnten sie nur als eigenstaendige Bauteile eingesetzt werden. Damit gingen zum Teil die Vorteile organischer Schaltungen verloren (flexibel, duenn, leicht, preiswert). Die Erfindung stellt zwei spezielle Schichtfolgen vor, die zeigen: 1) Polymere Dioden sind moeglich. 2) Sowohl polymere Dioden als auch solche, die noch eine Metallschicht enthalten, sind drucktechnisch herstellbar. Eine Diode besteht aus drei Schichten, welche in der Reihenfolge Leiter-Halbleiter-Leiter angeordnet sind. Ausserdem muss eine Diode asymmetrisch sein, d.h. die beiden Leiter duerfen nicht gleichartig sein. Bei den beiden Schichtfolgen, fuer welche die Diodenfunktion nachgewiesen wurde, handelt es sich um: 1) PEDOT/PSS (Polythylendioxythiophen/Polystyrolsulfonsaeure) – Poly(3-Hexylthiophen) – Polyanilin. 2) Aluminium – Poly (3-Hexylthiophen) – Polyanilin. Dabei wurde bei beiden Schichtfolgen die erste Schicht durch Aufdrucken eines Aetzschutzlacks strukturiert. Die zweite Schicht wurde gerakelt. Die dritte Schicht wurde direkt aufgedruckt.