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Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren

IP.com Disclosure Number: IPCOM000016863D
Original Publication Date: 1998-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-21

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
René Stein Wolfgang Zintl Johannes Völkl [+details]

Abstract

Aufgrund der hervorragenden elektronischen Eigenschaften ist Siliciumcarbid (SiC) ein vielversprechendes Material für viele elektronische Bauelemente. Bei der Herstellung werden zunächst SiC-Einkristalle gezüchtet und zur weiteren Verwendung in einzelne Scheiben, die Wafer, zersägt. Da der Einsatz dieser Wafer eine qualitativ hochwertige Oberfläche erfordert, schließen sich an den Sägevorgang mehrere Läpp- und Polierschritte an. Der letzte Schritt ist hierbei eine Politur. Bekannt ist ein Polierverfahren mit einer Diamantkörnung von 0,25 µm. Diese Politur hinterläßt jedoch Oberflächenkratzer, die bei dem anschließenden Epitaxieprozeß zu Oberflächenunebenheiten führen, welche für das elektronische Bauelement untragbar sind. Die mit der Diamantpolitur erreichbare Oberflächenqualität besitzt eine mittlere (Root Mean Square = RMS) Rauhigkeit von 5-20 nm.