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Herstellungsverfahren von Hartmasken für Trockenätzungen ohne Lackmaskentrockenätzungen (für Lithographie mit PMMA-Lack)

IP.com Disclosure Number: IPCOM000016956D
Original Publication Date: 1999-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-21

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr.Stephan Pindl Dr. Dirk Schumann [+details]

Abstract

Die ULSI-Technologie ( U ltra L arge S cale I ntegration) im Bereich CMOS fordert ein sehr aggressives Justieren der Devices in extrem kurzen Zeiten. Eine Möglichkeit immer kleinere Strukturen zu realisieren besteht darin, die Elektronenstrahllithographie (E-Beam) zu verwenden. Der Einsatz eines E-Beams als Lithographie-Tool hat gegenüber der optischen Lithographie den Vorteil, daß wesentlich kleinere Strukturen erzeugt werden können. Die Umsetzung der Strukturen in der Lackmaske auf anderen Materialien (z.B. Gate- Polysilizium oder TEOS-Hartmaske) macht bei der Verwendung von PMMA-Lacken große Probleme. Aufgrund der zu kleinen Beschleunigungsspannungen des E-Beams ist es auch nicht möglich einen DUV-Lack ( D eep UV ) zu verwenden, da dieser nicht gut belichtet werden kann. Folgend werden zwei Möglichkeiten dargestellt die beschriebenen Probleme zu umgehen indem eine Hartmaske für die Gatestrukturierung ohne Verwendung eines Trockenätzschrittes, sondern durch Ausnutzung der unterschiedlichen Oxidationsraten von Silizium in unterschiedlich dotierten Siliziumgebieten erzeugt wird.