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Hochfrequenzdichtes Gehäuse für GSM-Modul

IP.com Disclosure Number: IPCOM000016989D
Original Publication Date: 1999-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-21

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Lubomir Chlumsky Reinhard Brabec Farschid Farahmand [+details]

Abstract

Um ein gegenüber hochfrequenter Strahlung dichtes Gehäuse zu erstellen, ist eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den einzelnen Gehäuseteilen erforderlich. Dies wird bei den bekannten Ausführungsformen HF-dichter Gehäuse durch das Verbinden der Gehäuseteile mit einer elektrisch leitenden Silikonmasse erreicht (vgl. Fig. 1), was allerdings sehr teurer ist. Um die hohen Produktionskosten zu senken, hat es sich daher als zweckmäßig erwiesen, die abzuschirmende Leiterplatte mit einer umlaufenden Masseleiterbahn auszuführen. Der metallische Schirmrahmen (vgl. Fig. 3) ist dabei so ausgeführt, daß er auf einer Seite mit federnden Kontaktlappen die Leiterplatte und das Gehäuseoberteil, und über hochgestellte, geschlitzte, federnde Seitenteile das Gehäuseunterteil kontaktiert. Um eine sichere Kontaktierung herzustellen wird das Gehäuseunterteil, wie aus Fig. 2 ersichtlich, mit konischen Kontaktrippen versehen und das Gehäuseunterteil mit dem Gehäuseoberteil verschraubt.