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Zweistufiger Trenchätzprozeß für sub-µ Trenche

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017004D
Original Publication Date: 1999-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Reinhard Stengl Dr. Volker Lehmann Martin Franosch Dr. Hans Reisinger [+details]

Abstract

Das Ätzen von Trenchs mit kleinem Durchmesser in Silizium ist mit den bekannten Ätzverfahren nur bis zu bestimmten Tiefen möglich. So liegen bei anisotropen Plasmaätzprozessen die Grenzen bei einem Aspektverhältnis größer 40 und einem Trenchdurchmesser kleiner 0,3µm. Bei anisotropen Trockenätzprozessen können aufgrund der notwendigen Polymerbildung Trenche mit einem Durchmesser kleiner 0,2µm nur bis ca. 5µm Tiefe hergestellt werden. Aus der europäischen Patentanmeldung EP0296348A1 ist ein Verfahren bekannt, mit dem Trenche in n-dotiertes Silizium mit beliebiger Tiefe und Aspektverhältnis in wäßriger Flußsäure elektrochemisch geätzt werden können. Die elektrochemische Ätzung greift an Unebenheiten der Oberfläche an. Der Ort der Trenchöffnung wird bei dem Verfahren meist mittels einer Maske und einer Vorätzung mit z.B. KOH vordefiniert.