Browse Prior Art Database

Reihenschaltung von SiC-Dioden

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017035D
Original Publication Date: 1999-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Manfred Bruckmann Benno Weis Dr. Eric Baudelot Dr. Heinz Mitlehner [+details]

Abstract

Der Einsatz von Silizium (Si) als Halbleitermaterial für Leistungshalbleiterbauelemente er- fordert für eine Sperrspannung größer 100V pn-Dioden. Bei diesen Dioden, die jeweils aus einer pin Anordnung mit niedrig dotierter I-Schicht zur Aufnahme der Sperrspannung beste- hen, muß eine gute Leitfähigkeit / niedrige Durchlaßspannung durch eine hohe gespeicherte Ladung erkauft werden. Bei einer Diodenreihenschaltung tritt bedingt durch unterschiedliche Eigenschaften der se- riengeschalteten Dioden in der Regel eine ungleichmäßig Spannungsaufteilung auf. In einer Diodenreihenschaltung bestimmt die Diode mit der geringsten Sperrverzugsladung die La- dung der Gesamtreihenschaltung während der Spannungsaufnahme. D. h., die Diode mit der geringsten Speicherladung in einer Diodenreihenschaltung muß mehr Sperrspannung aufnehmen.