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Abscheidung eines Siliziumnitrid Liners als Teilschritt einer phosphordotierten Oxid Abscheidung in einer High Density Plasma Abscheidekammer

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017036D
Original Publication Date: 1999-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Uwe Schilling Hans-Peter Sperlich Alexander Hausmann Jörg Radecker [+details]

Abstract

Bei der Prozessierung integrierter Schaltkreise kann das Erfordernis entstehen, die in verschiedenen Prozeßschritten aufzubringenden Funktionsschichten gegeneinander zu isolieren. So muß z.B. bei der Herstellung eines Transistors in Form eines integrierten Schaltkreises vor der Abscheidung einer Schicht phosphordotierten Oxids der Gate-Stack des Transistors ganzflächig mit einer schützenden Siliziumnitrid-Schicht bedeckt werden. Es sind Verfahren bekannt, die das Abscheiden dieser Siliziumnitrid-Schicht, die als Diffusionsbarriere zwischen Gate-Elektrode und Oxid-Schicht dient, als separaten Prozeßschritt in einem speziellen Ofen vornehmen. Die Abscheidung der phosphordotierten Oxid-Schicht erfolgt anschließend in Form eines weiteren Prozeßschrittes in einer HDP- Kammer ( H igh- D ensity- P lasma). Dieses Vorgehen ist aufgrund der langen Prozeßdauer (Siliziumnitrid-Abscheidung bei Losgröße von 25 Wafern 5 Stunden, Oxidabscheidung 1-2 Stunden, Handling und Transport zwischen den Prozeßstationen 2 Stunden) sehr zeitaufwendig.