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Abscheidung eines Siliziumnitrid Liners als Teilschritt einer Shallow Trench Isolation Abscheidung in einer High Density Plasma Abscheidekammer

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017037D
Original Publication Date: 1999-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Uwe Schilling Hans-Peter Sperlich Alexander Hausmann [+details]

Abstract

Da sich die Abmessung integrierter Schaltkreise (IC) immer mehr verringern, werden diese auch immer dichter zueinander positioniert. Um die Funktionsfähigkeit der einzelnen integrierten Schaltungseinheiten eines IC zu garantieren, dürfen sich diese nicht gegenseitig beeinflussen. Dies wird im allgemeinen dadurch erreicht, daß die einzelnen integrierten Schaltungseinheiten gegeneinander isoliert werden. Eine mögliche Isolationsmöglichkeit besteht in der Erstellung sogenannter STI-Gräben ( S hallow T rench I solation), die in das jeweilige Substrat geätzt und mit einem isolierenden Material (z.B. ein Oxid) gefüllt werden. Vor der Abscheidung des STI-Oxids wird der jeweilige STI-Graben mit einer dünnen Siliziumnitridschicht ausgekleidet, um eine Aufoxidation des darunterliegenden Siliziums während der folgenden Ofenprozesse zu vermeiden.