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Reihenschaltung von SiC MOSFETs

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017038D
Original Publication Date: 1999-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Manfred Bruckmann Benno Weis Dr. Eric Baudelot Dr. Heinz Mitlehner [+details]

Abstract

Um Silizium als Material für Leistungshalbleiter einsetzen zu können, werden für Sperr- spannungen > 100V bipolare Bauelemente benötigt. Bei derartigen Bauelementen wird eine niedrig dotierte Schicht, die zur Aufnahme der Sperrspannung nötig ist, mit Minoritätsla- dungsträgern überschwemmt, die beim Abschalten des Bauelements wieder aus dieser Zone entfernt werden müssen. Das geschieht durch Rekombination oder Extraktion. Nach der Spannungsaufnahme fließt daher ein beim IGBT als Tailstrom bekannter Strom. Bei einer Reihenschaltung mehrerer IGBT kann es aufgrund unterschiedlicher Eigenschaften der seriengeschalteten Dioden und der unterschiedlichen Tailladungen der seriengeschalteten IGBTs zu gewissen Spannungsasymmetrien kommen. Zur dynamischen Spannungssymmetrierung einer derartigen Reihenschaltung sind mehrere unterschiedliche Konzepte (passive Beschaltung, aktive Spannungsbegrenzung, Korrektur der Schaltzeitpunkte) bekannt. Eine aktive Spannungsbegrenzung an den Bauelementen der Reihenschaltung in Zusammenwirkung mit einer auf minimale Laufzeitunterschiede op- timierte Ansteuerschaltung bietet momentan die bessere Alternative.