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Verfahren zu einer reproduzierbaren Messung der Trägerlebensdauer in n-dotierten Siliziumscheiben

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017040D
Original Publication Date: 1999-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

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Authors:
Hans-Joachim Schulze [+details]

Abstract

Bei Meßverfahren zur Bestimmung der Trägerlebensdauer - wie dem sogenannten Elymatverfahren - wird HF-Säure sowohl zur Passivierung, als auch zur elektrischen Kontaktierung der Siliziumoberfläche eingesetzt. Es hat sich allerdings bei der Elymatmessung von n-dotierten Siliziumscheiben gezeigt, daß der mit Laserlicht bestrahlte, mit der HF-Säure benetzte Bereich der Siliziumoberfläche lokal angeätzt wird. Dies führt sowohl zu einer Schädigung der Siliziumoberfläche als auch zu einer schlechteren Reproduzierbarkeit der Meßergebnisse, da sich der Einfluß der Oberflächenrekombination auf den ermittelten Diffusionsstrom verändert. Bei p-dotierten Proben, wie sie in der IC-Technologie im allgemeinen verwendet werden, spielt das beschriebene Korrosionsproblem keine Rolle. Bei n-dotiertem Material, das z.B. für die Herstellung von Leistungshalbleitern erforderlich ist, konnte der Korrosionseffekt nicht vermieden werden. Um im letzteren Fall die Reproduzierbarkeit der Messungen zu verbessern, bietet sich nur die Möglichkeit einer Reinigung der Oberfläche der gemessenen Probe.