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Entgasung von Silikon-Encapsulant ohne Änderung der Materialeigenschaften

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017041D
Original Publication Date: 1999-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

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Authors:
Dr. Martin Reiß Johann Winderl [+details]

Abstract

Integrierte elektronische Bauteile, wie z.B. Chip-Scale-Packages, werden zum Schutz vor Umwelteinflüssen mit einem Kunststoff encapsuliert. In der Figur ist dies am Beispiel eines FBGA-Package (1) dargestellt, daß mit schützendem Encapsulant (2) umhüllt ist. Dieser Kunststoff, der zumeist aus Silikon- oder flexiblisierter Epoxydharzmasse (Gel) besteht, bildet bei einem Encapsulationsprozeß unter Vakuum Blasen, die durch das im Kunststoff gebundene Gas entstehen. Beim Aushärten des Materials treten diese Blasen bevorzugt im Bereich des Lead Bond Channels (3) auf. Zudem ist kein spritzerfreies Dispensen des Materials möglich, so daß die Bauteiloberfläche nachteilig verunreinigt wird. Um diesem Problem zu begegnen, ist es bekannt, das Encapsulant während dessen Herstellungsprozeß in einem Vakuum (ca. 8 Torr) zu mischen und abzufüllen. Da auch mit dieser Modifikation keine hinreichend befriedigenden Ergebnisse erzielt werden konnten, hat es sich als vorteilhaft erwiesen, das Encapsulant vor der Verarbeitung nochmals unter einem Vakuum von ca. 0.03 Torr zu entgasen. Durch diesen zusätzlichen Prozeßschritt wird die Zusammensetzung des Material nicht verändert, es kommt jedoch zu einer deutlichen Verringerung der Blasen- und Spritzerbildung.