Browse Prior Art Database

Selbstjustierender Prozeß für Flashzelle mit hohem Kopplungsverhältnis

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017081D
Original Publication Date: 1999-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Erhard Landgraf Dr. Josef Willer Dr. Franz Hofmann [+details]

Abstract

München; Dr. Dirk Schumann, München; Eve-Marie Martin, München Zur Reduktion der Programmier- und Löschspannungen von floating-gate-EEPROMS’s wird allgemein angestrebt, eine Koppelfläche zwischen dem control gate (cg) und dem floating-gate (fg) im Vergleich zu einer Fläche zwischen dem fg und dem Substrat bzw. den Source/Drain- Gebieten zu erhöhen. Zugleich soll aber der Platzbedarf pro Speicherzelle möglichst klein sein.