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Treiber zum schnellen Einschalten eines Low-Side-Schalters unter Berücksichtigung der elektromagnetischen Abstrahlung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017084D
Original Publication Date: 1999-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Axel Christoph [+details]

Abstract

Beim schnellen Einschalten eines Low-Side-Schalters wird durch die Ein-schaltcharakteristik des Leistungstransistors (LTR) eine große slew rate dU/dt verursacht. Ein gesteuertes Laden des LTR-Gates verhindert eine zu hohe Anstiegsgeschwindigkeit bei gleichzeitig kurzer Einschaltzeit. Hierdurch kann die elektromagentische Abstrahlung verringert werden. In der Schaltung (vgl. Figur) wird das Schaltverhalten des Bausteins durch eine Regelung des Gateladestromes gesteuert. Das Einschalten gliedert sich in drei Bereiche: