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Messung der Gate-Source-Spannung von High-Side-Ausgangsstufen in Smart-und verwandten Technologien

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017086D
Original Publication Date: 1999-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

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Authors:
Axel Christoph [+details]

Abstract

Bisher konnte die Gate-Source-Spannung eines in einem Substrat angeordneten Leistungstransistors (LTR) von High-Side Ausgangsstufen mit nur sehr hohem Aufwand gemessen werden. In Fig. 1 ist eine Schaltung dargestellt, mit der die Gate-Source-Spannung des LTR gemessen werden kann, ohne daß die Spannung eines p-Gebietes über Substratspannung wandern kann. Für die Messung wird die Gate-Source-Spannung auf einen der Logik zugänglichen Pegel gewandelt.