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Temperature Controlled Exhaust Deposit-System (TCED) für TEOS LPCVD Prozesse

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017090D
Original Publication Date: 1999-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Gerhard Ott Josef Schwaiger [+details]

Abstract

Für dielektrische Funktionsschichten werden in Mikroprozessoren unter anderem TEOS- Schichten verwendet, die unter Vakuum auf der gewünschten Struktur abgelagert werden. Während des Prozesses der Ablagerung erfolgt jedoch nicht nur eine Ablagerung einer TEOS- Schicht auf den gewünschten Bereichen der Mikroprozessor-Struktur, sondern auch auf wesentliche Funktionsteile der Fertigungsanlage (Exhaust- und Vakuumleitungen, Filter etc.). Durch die Art und Zusammensetzung der TEOS Ablagerungen kann es zu Partikeleinbrüchen kommen, so daß die betroffenen Anlagenteile sehr oft ausgetauscht und/oder gereinigt werden müssen. Um den dadurch entstehenden Wartungsaufwand zu begrenzen wird vorgeschlagen die Fertigungsanlage derart zu modifizieren, daß Partikeleinbrüche, Wartungsarbeiten und Anlagenkontrollfahrten auf ein Minimum reduziert werden. Das wird dadurch erreicht, dass durch eine gezielte Steuerung der Prozeßtemperaturen in den einzelnen Fertigungsabschnitten die TEOS-Ablagerungen so beeinflußt werden, daß die Partikeleinbrüche erheblich reduziert, das Partikelniveau auf gleichmäßigem, stabilem, niedrigen Level gehalten und die Anlagenverfügbarkeit durch längere Wartungszyklen und weniger Anlagenkontrollfahrten erhöht wird.