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Ein reversstromunempfindlicher Komparator

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017092D
Original Publication Date: 1999-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Wolfgang Horn [+details]

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Komparator, dessen Eingangsspannungsbereich die negative Versorgungsspannung einschließt und dessen Offset über ein D U BE zweier Bipolar-Junction- Transistoren (BJT) einstellbar ist. Dabei soll der Komparator gegen den störenden Einfluß von Reversströmen unempfindlich sein. Diese entstehen typischerweise, wenn an einem DMOS-Leistungstransistor eine Polaritätsumkehr (etwa durch Abschalten induktiver Lasten) stattfindet und dadurch in einer sperrschichtisolierten Mischtechnologie auf p- Substrat die Drain-Substrat- Diode leitend wird. Die ins Substrat injizierten Ladungsträger bilden dann den Emitterstrom eines parasitären NPN-BJT (vgl Abb 1). Alle n- Wannen der Schaltung sind nun potentielle Kollektoren für diesen NPN-Transistor, aus denen im Reversbetrieb des DMOS der Strom I C abgezogen werden kann.