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Testverfahren „non volatile memories“ unter Ausnutzung des Herstellungsprozesses

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017144D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Udo Hartmann Hermann Haas [+details]

Abstract

Zur Überprüfung der Funktionsfähigkeit von Speicherzellen eines ferroelektrischen Halbleiterspeichers (FeRAM), ist es üblich diesen nach dem Herstellungsprozeß unter Einfluß unterschiedlicher Störgrößen (z.B. Temperatur) zu testen. Das erfordert neben zusätzlichem Zeitaufwand vor allen Dingen auch aufwendiges Testequipment. Um diesen zusätzliche Aufwand einzusparen, wird nachfolgend ein Testverfahren beschrieben, das in den Herstellungsprozeß integriert ist und die dabei auftretenden Randbedingungen als Störgrößen nutzt. Sofern der ferroelektrische Kondensator, z.B. nach Bildung der common plate (CP), fertiggestellt ist, kann mit dem Speichern der Testdaten begonnen werden. Dazu werden logische Testdaten in die einzelnen Speicherzellen (Kondensatoren) eingeschrieben. Nach dem Schreiben der Testdaten wird der Halbleiterspeicher ganz normal weiter hergestellt, und die Testdaten nach Ende des Fertigungsprozesses ausgelesen. Somit wird der Fertigungsprozeß selbst als Störgröße ausgenutzt. Um Datenverluste während der abschließenden Herstellung zu verhindern, muß die Temperatur unter der Curie-Temperatur des verwendeten Ferroelektrikums (z.B. 300°C) liegen. Die Funktionsfähigkeit des Halbleiterspeichers kann abschließend mit einem Vergleich der geschriebenen und der am Ende des Fertigungsprozesses ausgelesenen Testdaten verifiziert werden.