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Plasmachemische Kammerreinigung mit optischem Endpunkt

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017146D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Peter Hagemeyer [+details]

Abstract

Plasmaätzprozesse erzeugen je nach Prozeßführung und nach den zu ätzenden Materialien Abprodukte, die durch ihre Ablagerung in der Prozeßkammer zu unerwünschten Effekten führen. Neben der Generation von Partikeln, die den zu prozessierenden Wafer unbrauchbar machen können, ist insbesondere die Bildung von Filmen an Kammerwänden und Kammerfenstern kritisch, da diese z.B. bei optischen Endpunktsystemen eine erhöhte Dämpfung verursachen und so das Equipment in relativ kurzer Zeit unbrauchbar machen können. Um eine hohe Wafer to Wafer- und Lot to Lot-Uniformity zu erreichen, kann das folgend vorgestellte Verfahren angewandt werden, daß immer gleiche Prozeßbedingungen garantiert und zudem die Lebensdauer des Equipments wirksam erhöht.