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Realisierung eines Leistungsschalters mit definierter Strom-Slope

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017151D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Leo Aichriedler Franz Wachter [+details]

Abstract

In der Halbleiterfertigungstechnik (etwa SPT, BCD, SmartMOS) soll für Anwendung in der Automobilelektronik ein Leistungsschalter (High-Side oder Low-Side) realisiert werden, bei dem der Stromgradient, also die Ableitung des Stromes I LOAD nach der Zeit, definiert und unabhängig ist von der Last resp. der zu schaltenden Spannung. Bei bisherigen Implementierungen wurde zur Begrenzung der Anstiegsgeschwindigkeit des geschalteten Stromes der Gate-Ladestrom des Leistungstransistors (in den gegebenen Technologien vorzugsweise DMOS-Vielzellen-Transistoren) begrenzt. In dieser Methode ist der Stromgradient aber schlecht definiert. Dazu ergibt sich im Bereich kleiner Gate- Source-Spannungen, also bei hochohmigem Schalter, aufgrund der in diesem Betriebspunkt sehr geringen Kapazität C DG ein sehr schnelles Abschalten. Dies ist insbesondere im Hinblick auf elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) sehr ungünstig und in vielen Anwendungen unerwünscht. (Figur 1)