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Optimierung des Overlay-Meßtarget-Designs zur Vermeidung von durch Lackspannung verursachten Meßfehlern

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017155D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Erwin Steinkirchner [+details]

Abstract

Im Rahmen der Herstellung von Halbleiterchips wird bei der optischen Vermessung eines Overlay-Targets die Zentrierung eines abgebildeten inneren Quadrates (1) relativ zu einem bereits auf dem Wafer befindlichen äußeren Quadrat (2) ermittelt. Die Overlay-Messung dient dabei zur Bewertung der relativen Ausrichtung zweier nacheinanderfolgender Belichtungsprozesse zueinander. Ausgangspunkt bei der Vermessung ist ein Wafer, der in einem vorbestimmten Bereich eine Struktur in Form des äußeren Quadrats (2), z.B. als quadratische Erhöhung, aufweist, die bei einer vorherigen Belichtung geschaffen wurde. Der Wafer wird anschließend ganzflächig belackt und mit einer Photomaske das innere Quadrat (1) belichtet. Durch die sich daran anschließende Entwicklung wird der Lack aus dem inneren Quadrat (1) unter Bildung einer Lackkante entfernt. Diese ist optisch sichtbar, so daß deren Lage mit der Lage der Kante des äußeren Quadrats (2) verglichen werden kann. Aus dem Vergleich der relativen Lage der Kanten zueinander kann auf die optische Justage der beiden Belichtungen zueinander geschlossen werden.