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Reservestromunempfindliche Strom-und Spannungsreferenzschaltung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017160D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Wolfgang Horn Heinz Zitta [+details]

Abstract

Zur Erzeugung von konstanten Strömen und konstanten Spannungen werden üblicherweise Strom- und Spannungsreferenzschaltungen eingesetzt. Ist diese Schaltung in einer sperrschichtisolierten Mischtechnologie auf P-Substrat ausgeführt, wird bei einer Polaritätsumkehr an einem DMOS-Leistungstransistor (Reverse-Betrieb, tritt z.B. beim Ausschalten induktiver Lasten auf) die Drain-Source-Diode leitend, so daß die in das Substrat injizierten Ladungsträger den Emitterstrom eines parasitären npn-BJT bilden (vgl. Fig. 1). Da alle n-Wannen der Schaltung für diesen npn-Transistor potentielle Kollektoren darstellen, aus denen im Reverse-Betrieb eines DMOS Strom abgezogen werden kann, können Schaltungsteile mit hochohmig angeschlossenen n-Wannen bis zum Funktionsausfall beeinflußt werden. Folgend wird beispielhaft eine auf dem Bandgap-Prinzip basierende Schaltung beschrieben, die Referenzstrom und –spannung erzeugt und durch geeignete Maßnahmen unempfindlich gegenüber möglichen Einflüssen des Reversebetriebes ist. Wie aus Fig. 2 schematisch ersichtlich, wird das Bandgap-Prinzip durch die Verwendung zweier mit unterschiedlicher Stromdichte betriebener bipolaren Elemente (1) erreicht. Da in der vorschlagsgemäßen Schaltung keine weiteren bipolaren Elemente verwendet werden, kann die Schaltung insgesamt kompakter als die bekannten Strom- und Spannungsreferenzsschaltungen ausgeführt werden.