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Phase/Transmission Balancing bei alternierenden Phasenmasken durch Plasma-Nachätzprozeß

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017163D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Uwe Griesinger Dr. Josef Mathuni [+details]

Abstract

Alternierende Phasenmasken zeigen ein deutlich besseres CD/Defocus-Verhalten, wenn sie als sogenannte „Dual-Trench“ Maske gefertigt werden, die aus benachbarten, unterschiedlich tief geätzten Bereichen mit einer bestimmten Tiefe PB besteht (vgl. Fig.1). Um bei der Herstellung der Phasenmaske räumliche Schwankungen der Substrattiefe PB oder eine zu flach ausgebildete Vorätztiefe zu korrigieren, wird üblicherweise die Phasenmaske mit einem Pattern Generator (PG) erneut belichtet. Mit dem PG werden dabei sequentiell und selektiv die Bereiche belichtet, in denen eine Nacharbeitung notwendig ist. Dieses Verfahren steht aufgrund der langen Belichtungszeit und der endlichen Overlay- Genauigkeit des PGs vor dem Problem hoher Kosten. Außerdem kann es zu Ungenauigkeiten bei den auf der Phasenmakse befindlichen Strukturen kommen.