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ACCUFET mit Schottky-Diode

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017168D
Original Publication Date: 2000-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Jenö Tihanyi [+details]

Abstract

Halbleitertransistoren, die ohne den Einsatz von p-dotierten Bereichen niederohmige Trench MOSFETs realisieren, werden üblicherweise als ACCUFET bezeichnet (vgl. Fig. 1). Die bekannten Ausführungsformen dieser Transistoren sind zwar dynamisch sperrbar, weisen aber keine, für MOSFETs typische integrierte, bipolare Reversedioden auf. Da es aber besonders bei getakteten Versorgungen von Induktivitäten (z.B. Elektromotoren) vorteilhaft ist, innerhalb der MOSFET-Strukturen über eine integrierte Schottky-Diode zu verfügen, wird folgend eine modifizierte Halbleiterstruktur vorgeschlagen. Diese modifizierte Halbleiterstruktur weist mindestens einen n-dotierten Source-Bereich auf, der an seiner Oberseite durch eine Schottky-Barriere begrenzt wird. Dieser n + dotierte Bereich kann wahlweise auch als Schottky-Kontakt ausgebildet werden (vgl. Fig. 2).