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Verbesserte Endpunkterkennung bei Cleanplasmen an CVD-Anlagen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017212D
Original Publication Date: 2000-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dirk Knobloch Alexander Hausmann Jörg Radecker Stefan Eckert [+details]

Abstract

Eine übliche Vorgehensweise zur Ablagerung von Schichten auf einem Siliziumwafer besteht in der sogenannten C hemical V apor D eposition (CVD), welche in Plasmakammern durchgeführt wird. Während dieses Prozesses kommt es jedoch nicht nur zu einer Abscheidung der jeweiligen Schicht auf dem Siliziumwafer sondern darüber hinaus auch zu einer Abscheidung auf den Kammerwänden der Plasmakammer. Die sich dabei auf den Kammerwänden herausbildenden Schichten sind häufig relativ lose und tendieren daher zu einer Generation von Partikeln, die ggf. zu Defekten auf den Siliziumwafern führen. Daher wird in regelmäßigen Abständen ein Cleanprozess durchgeführt, durch den die an den Kammerwänden abgeschiedenen Schichten entfernt werden. Bei diesem Prozess ist insbesondere darauf zu achten, dass einerseits alle Ablagerungen entfernt werden, andererseits aber eine Überätzung, die ggf. die Kammerwände angreifen könnte, vermieden wird. Bei dem angegebenen Cleanprozess handelt es sich in der Regel um einen Trockenätzprozeß, durch den die Ablagerungen in der Prozeßkammer entfernt werden. Die Prozessführung erfolgt dabei entweder mit einer fest vorgeschriebenen Zeitdauer, oder es wird zur Endpunktbestimmung nur mit sehr einfachen und wenig genauen Geräten gearbeitet. Infolge dessen kann es zu einer zu langen Ätzzeit des Cleanprozesses kommen, während der nicht nur die abgeschiedenen Schichten, sondern teilweise auch die Kammerwand selbst abgetragen wird, was zu einem deutlich höheren Verschleiß an der Plasmakammer führt.