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Durchführung des Waferprobings vor der Passivierung der metallischen Padflächen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017215D
Original Publication Date: 2000-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Michael Zeitler Axel Königer Hans-Joachim Barth Rainer Tilgner Karsten Mosig Robert Hagen [+details]

Abstract

Nach der Fertigstellung von Halbleiterbauelementen werden diese auf wafer-level zunächst getestet. Bei diesem sogenannten Waferprobing-Verfahren können durch die spitzen Probernadeln Schädigungen der Kontaktflächen (Pads) hervorgerufen werden. Hierdurch können insbesondere bei korrosiven und hoch-diffusiven Materialien unerwünschte Effekte auftreten. So kann beispielsweise durch Aufbrechen der Passivierungsschicht über einem Cu-Pad die Korrosion des Kupfers ungehindert fortschreiten. Dies führt zu einer Degradation bzw. zu einem kompletten Ausfall der Bauelemente. Bisher wurde versucht, möglichst dicke Schutzschichten über den Kupfer-Pads zu realisieren, um ein Durchstoßen der Probernadeln zu verhindern. Verwendet wurde beispielsweise eine metallische Diffusionsbarriere und eine dicke Al- oder Au-Schicht oder ein Schichtpaket aus Diffusionsbarriere – Oxid –Nitrid – Aluminium. Diese Verfahren sind recht aufwendig und damit kostenintensiv, weil zusätzliche Produktionsschritte nötig sind, zum anderen wird der gewünschte Schutzeffekt nicht immer in vollem Umfang erzielt.