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ROM-Speicher mit vertikalen Poly-Transistoren

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017226D
Original Publication Date: 2000-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Franz Hofmann [+details]

Abstract

Bei der Produktion maskenprogrammierbarer ROM-Zellen wurde die Bitleitung bisher üblicherweise als diffundierte Bitleitung durch Implantation hergestellt. Aufgrund der fortschreitenden Struktur-Miniaturisierung ergibt sich jedoch für sehr kleine Transistoren (< 200nm) das Problem der Ausdiffusion der Implantierung. Dem kann jedoch nicht durch eine höhere Dotierungsdosis begegnet werden, da in diesem Falle die Gefahr der Entstehung eines Leckstroms zwischen den einzelnen Bitleitungen besteht. Um dennoch derart kleine Strukturen realisieren zu können, wird folgend ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem eine metallische Bitleitung in einem Oxid-Graben erzeugt wird. Darauf aufbauend wird ein vertikaler Transistor erzeugt (z.B. nach Verfahren von T. Kisu). Die eigentliche Programmierung der Zelle erfolgt anschließend durch die Ätzung einer Oxidschicht im Kanalbereich, so dass die programmierte Zelle keine Transistorfunktion mehr zeigt. Eine weitere metallische Bitleitung sorgt für einen niedrigen Widerstand im Zellenfeld. Vorteilhaft macht sich bei dem vorgeschlagenen Verfahren zusätzlich bemerkbar, dass der programmierte Transistor aufgrund der Diffusionsbarierren sehr niedrige Sperrströme aufweist.