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Entfernen von SiO2-Schichten von Aluminiumbauteilen aus Anlagen der Halbleiterfertigungen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017289D
Original Publication Date: 2000-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Matthias Taubert [+details]

Abstract

Im Rahmen der Halbleiterfertigung ist es bekannt, dielektrische BPSG-Schichten ( B orous P hosphorous S ilicate G lass) mittels des CVD-Verfahrens ( C emical V apor D eposition) auf Wafern abzulagern. Hierbei werden neben der gewünschten Schichtablagerung auf den entsprechenden Wafern auch die Prozeßkammer, das Prozeßkit und/oder einzelne Teile der Produktionsanlage kontaminiert. Da die Wahrscheinlichkeit, daß sich von diesen Ablagerungen Partikel lösen und auf den Wafern ablagern, mit zunehmender Schichtdicke der Ablagerungen steigt, werden nach einer bestimmten Anzahl prozessierter Wafer nach festgelegten Prozeßzeiten oder Zeitintervallen die Anlagenteile ausgebaut und gereinigt bzw. ausgetauscht. Insbesondere die Reinigung der im Prozeßbereich verwendeten Aluminiumbauteile gestaltet sich als schwierig, da die bekannten Reinigungsverfahren den Nachteil haben, daß der Grundwerkstoff dieser Aluminiumbauteile angegriffen wird, genau tolerierte Bohrungen aufgeweitet oder Dichtflächen beschädigt werden. Aus den genannten Gründen und der Tatsache, daß Reste von Aluminiumflourid auf der Werkstoffoberfläche als neue Kristallisationskeime für einer erneutes Aufwachsen des unerwünschten SiO 2 dienen, wurden die betroffenen Aluminiumbauteile in der Vergangenheit zumeist komplett ausgetauscht.