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Niederohmiger Rückseitenwiderstand mittels Rückseitendotierung bei legierten Goldrückseiten

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017297D
Original Publication Date: 2000-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Andreas Rupp Joost Larik Dr. Helmut Strack [+details]

Abstract

Bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen kommt der Befestigung der Halbleiterchips an einem Chipträger eine wichtige Bedeutung zu. Vorbereitend werden hierfür am Ende des Waferprozesses die Waferrückseiten mit Gold bedampft. Im anschließenden Montageprozeß werden die einzelnen Halbleiterchips, durch Erwärmung des Systemträgers über die eutektische Temperatur des Au-Si-Systems, legiert. Neben der mechanischen Chipbefestigung dient diese Legierung insbesondere auch dazu, einen niederohmigen elektrischen Kontakt zwischen Halbleiterchip und Chipträger zu realisieren. Nachteilig entsteht bei einer derartigen Systemträger-Befestigung der Halbleiterchips an der Halbleiterchip-Rückseite ein Rückseitenwiderstand, der ein Schottky-Verhalten aufweist. Das macht sich insbesondere in einer unerwünschten Nichtlinearität als Schottky-Übergang im Ausgangskennlinienfeld bemerkbar.