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Verstärkte Auskopplung der Ladung einer Pumpe zur besseren Ausnutzung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017305D
Original Publication Date: 2000-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Axel Christoph [+details]

Abstract

Bei den bekannten Ausführungen von High-Side-Schaltern wird die durch die Ladungspumpe erzeugte Ladespannung mit Hilfe einer Zenerdiode begrenzt. Hierdurch wird ein Teil der Ladung in der Zenerdiode abgeleitet, so dass die Ladungspumpe nicht voll ausgenutzt wird. Ziel der folgend vorgeschlagenen neuartigen Lösung ist es daher, die bestehende Ansteuerungsschaltung so zu modifizieren, dass die volle durch die Ladungspumpe gepumpte Spannung auch auf das Gate des Leistungstransisors (LTR) gelangt. Die Stromquelle I lade bestimmt über die Bipolartransistoren (BIP) auch die slewrate des LTR. Diese BIP-Transistoren sind jedoch die parasitären BIP-Transistoren der MOS- Dioden des RECTIF und können also nicht von diesem entkoppelt werden, so dass sich eine Erhöhung über I lade eingespeisten Stroms verbietet.