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Elektrisch durchbruchfeste Passivierung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017307D
Original Publication Date: 2000-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Rudolf Zelsacher Emil Prax [+details]

Abstract

Als abschließende Schicht wird auf integrierte Schaltkreise (IC) üblicherweise eine Passivierung aufgebracht, welche die ICs vor Feuchtigkeit, chemischen Angriff oder mechanischer Beanspruchung schützt. Soll eine derartige Passivierung, die z.B. aus einer Sandwich-Kombination von Siliziumoxid- und Siliziumnitrid-Schichten bestehen kann, zusätzlich elektrisch durchbruchfest gestaltet werden, also Schutz vor sehr hohen Spannungen bieten, so kann diese Anforderung mit den bekannten Ablagerungsverfahren der Passivierungsschichten nicht erfüllt werden. Wird eine nach den bekannten Ablagerungsverfahren erstellte Passivierungsschicht durch eine Spannung beansprucht, bricht sie schon bei sehr geringen Spannungen von einigen Volt durch. Ursache hierfür sind Risse und/oder Wachstumslinien in den Oxid- und Nitridschichten, welche sich vorzugsweise an den Stellen befinden, an denen die Passivierung über Stufen abgeschieden wird (z.B. in Kontaktbereichen und bei einfachen Leitungen). Im Gegensatz dazu schützt die Passivierung die ICs in ebenen Bereichen ausreichend vor einer Beanspruchung durch hohe Spannungen.