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Korrektur von Implantationsmasken bei gewinkelten Implantationen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017358D
Original Publication Date: 2000-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Oliver Gehring Olaf Heitzsch [+details]

Abstract

Bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen werden Fremdatome in ein monokristallines Substrat, z. B. Silizium eingebracht, um dessen elektronische Eigenschaften einzustellen. Ein mögliches Verfahren hierfür stellt die Implantation dar, bei der beschleunigte Ionen in einem gebündelten Strahl auf die Substratoberfläche aufgebracht werden. Bei Implantationen, die senkrecht zur Oberfläche ausgeführt werden, tritt z. T. unerwünschtes Channeling auf, d. h. ein Durchrutschen der Implantationsionen zwischen den Gitterebenen des einkristallinen Substrates. Um das Channelling zu vermeiden, wird bisher die Streuung der einschiessenden Ionen am Kristallgitter des Substrates bewußt erhöht, z. B. durch Aufbringen von amorphen Streuschichten, die jedoch nach der Implantation möglichst selektiv wieder entfernt werden müssen. Diese zusätzlich erforderlichen Schritte erhöhen die Prozesskomplexizität.