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Erzeugung von sublithographischen Strukturen

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017375D
Original Publication Date: 2000-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Franz Hofmann Dr. Johannes Kretz Martin Franosch [+details]

Abstract

Sublithographische Strukturen wurden bisher durch isotrope Polysiliziumätzung oder durch kurzzeitiges Veraschen des Fotolacks erzeugt. Da diese Verfahren keinen Ätzstop aufweisen, muss die Kontrolle des Ätzprozesses anhand der Dauer gesteuert werden. Die Genauigkeit der mittels dieser Verfahren erzeugten Strukturen weisst jedoch Defizite auf. Um dieses Problem zu beseitigen, wird ein neues Verfahren vorgeschlagen. Das neue Verfahren nutzt die Selektivität der Nassätzung von hochdotiertem Polysilizium zu undotiertem Polysilizium (S.H. Woo, Symposium on VLSI 1994, p25).