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Kontaktierungstechnik für Hochtemperaturleistungselektronik

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017376D
Original Publication Date: 2000-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Eric Baudelot Manfred Bruckmann Walter Springmann [+details]

Abstract

Die Idee ist es, SiC statt Si bei Bauelementen von Niedertemperaturverbindungen (NTV) zu benutzen, NTV für Hochtemperaturanwendungen zu nutzen und die Druckkontaktierung von NTV-Einzelchips zu verwenden. SiC bietet im Gegensatz zu Si einen sicheren Betrieb bei hohen Sperrschichttemperaturen bis 600°C. Dieser Vorteil kann entweder für die Dimensionierung des Dauerbetriebs durch Minimierung der erforderlichen Chipflächen oder für die Überlastbarkeit umgesetzt werden. Bisher werden monolytische großflächige Bauelemente druckkontaktiert. Dabei werden zwei verschiedene Verfahren eingesetzt: Das sogenannte 'free floating silicon' und die Niederternperaturverbindung (NTV), die bessere thermische Eigenschaften und robusteres Überströmverhaften ermöglicht.