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Optischer Lack-und Polymerdetektor

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017381D
Original Publication Date: 2000-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-25

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Stephan Bradl Franz Josef Hierl [+details]

Abstract

Aufgrund der immer kleiner werdenden Halbleiterstrukturen neuerer Halbleiterchips werden an die verwendeten Lithographieverfahren immer höhere Anforderungen gestellt. Ein wesentlicher Punkt bei der Lithographie ist das möglichst restfreie Entfernen des Fotolacks nach erfolgtem Ätzen. Werden die Fotolacke nicht vollständig entfernt, so können diese nachfolgende Prozessabläufe maskieren und/oder diese gänzlich verhindern. Die daher notwendig vollständige Entfernung der Fotolackreste von der Waferoberfläche wird jedoch dadurch erschwert, dass die Fotolacke aufgrund der Einwirkung halogenhaltiger Ätzchemikalien bzw. hoher Implantierungsdosen während eines Ätz- oder Implantationsprozesses unvollständig und nicht vorhersagbar degradiert werden. Um dennoch eine vollständige Entfernung der Lackreste und damit eine sichere Prozessführung zu gewährleisten, wird folgend ein Prozessführungs- und Überwachungsverfahren vorgeschlagen, das die Tatsache ausnutzt, dass die degradierten Fotolacke ausschließlich aus komplexen Kohlenwasserstoffverbindungen (Polymere) bestehen. Diese können mittels Differenzspektroskopie in einem geeigneten Frequenzbereich selbst in kleinsten Mengen nachgewiesen werden.