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In-Situ Messung von Cleanätzraten bei CVD-Anlagen mittels optischer Emissionsspektroskopie

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017437D
Original Publication Date: 2001-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dirk Knobloch Alexander Hausmann Jörg Radecker Stefan Eckert [+details]

Abstract

Beim Abscheideprozess mittels CVD (Chemical Vapor Deposition) wird auf einem in einer Kammer befindlichen Wafer eine Schicht abgeschieden, z. B. aus Siliziumoxid. An der Kammerwand wird dabei ebenfalls eine Schicht abgeschieden. Letztere muss nach Erreichen einer bestimmten maximalen Dicke entfernt werden, da es sonst zur Partikelgeneration kommen kann. Dazu wird in der Kammer ein Ätzplasma gezündet, z. B. in Anwesenheit von NF 3 . Um eine Beschädigung der Kammerwände zu verhindern, muss dieser Ätzprozess nach Abtragen der abgeschiedenen Schicht gestoppt werden. Bei bekannter Schichtdicke und Abätzrate kann das durch eine Zeitsteuerung geschehen. Problematisch ist in diesem Zusammenhang, dass die Cleanätzrate nur durch aufwändige Messungen bestimmt werden kann. Herkömmlicherweise wird die Ätzrate auf einer Kammerwand mit Hilfe von Proben einer zu ätzenden Schicht bestimmt, die an den Kammerwänden angebracht werden. Durch eine Schichtdickenmessung vor und nach dem Ätzprozess kann bei bekannter Ätzzeit auf die Ätzrate geschlossen werden. Um Schwankungen des Cleanprozesses abzufangen, wird üblicherweise ein Überätzen der Kammerwand eingestellt, wodurch diese angegriffen wird.