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Energieaufnahmeminimierte Ansteuerschaltung eines Leistungstransistors

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017449D
Original Publication Date: 2001-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Andreas Kucher Leo Aichriedler [+details]

Abstract

In der Halbleiter-Fertigungstechnologie (z.B. SPT, BCD, SmartMOS) soll für Anwendungen in der Automobilelektronik eine schnelle Ansteuerschaltung für einen NMOS-HS-Schalter realisiert werden, bei dem der statische Stromverbrauch minimiert wird. Bisher realisierte Lösungsansätze verwenden die in Abbildung 1 dargestellte Topologie. Im wesentlichen besteht die Ansteuerschaltung aus einem Lade- und einem Entladepfad. Um die Drain- Source-Spannung (V DS ) und dadurch die Verlustleistung in M1 möglichst klein zu halten, muß dessen Gatespannung um etwa 6 V höher sein als seine Drainspannung (V D ).