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Kurzschlusserkennung für IGBTs in Stromrichterschaltungen mit Spannungszwischenkreis

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017466D
Original Publication Date: 2001-Jan-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-22

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Benno Weis Matthias Braun Georg Zaiser [+details]

Abstract

Die Überwachung von Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBT) in modernen Strom- richterschaltungen wird heute durch eine Überwachung der Sättigungsspannung standardmäßig realisiert. Der IGBT wird abgeschaltet, wenn im leitenden Zustand die Kollektor-Emitter- Spannung, die mit dem Kollektorstrom im Zusammenhang steht, einen vorgegebenen Wert überschreitet. Diese Sättigungsüberwachung ist auf jeden IGBT anwendbar und ermöglicht eine schnelle Kurzschlusserfassung. Um Fehlmeldungen zu vermeiden, muss die Sättigungsüberwachung jedoch für die Dauer des Einschaltvorgangs, d.h. bis der IGBT seine Sättigungsspannung erreicht hat, ausgeblendet werden. Bei Kurzschlüssen mit langsamem Stromanstieg oder bei zögernder Entsättigung des IGBT ist das Verfahren deshalb nur begrenzt einsetzbar. Eine andere Kurzschlusserfassung wertet den induktiven Spannungsfall durch Integration der Spannungs-Zeit-Fläche an einer Emitterinduktivität aus [1]. Im Kurzschlussfall überschreitet der integrierte Wert schnell eine für ein Fehlersignal festgelegte Grenzgröße.