Browse Prior Art Database

Randfreier Hochvolttransistor ausgeführt in kombinierter Aufbau-und Trenchtechnologie

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017544D
Original Publication Date: 2001-Apr-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Michael Rüb [+details]

Abstract

Das zu lösende Problem besteht vornehmlich darin, einen Hochvolttransistor so zu konstruieren, dass im Gegensatz zu konventionellen, vertikalen Leistungstransistoren keine aufwendige Struktur zum lateralen Abbau der Sperrspannung zum Chiprand hin benötigt wird. Außerdem soll der Hochvolttransistor eine für die geforderte Stromtragfähigkeit ausreichende Kanalweite bei gleicher bzw. verringerter Chipgröße (im Vergleich zum Standardprodukt) realisieren können, möglichst einfach verdrahtet sein und so konstruiert sein, dass das Bauelement als sogenanntes Kompensationsbauelement mit stark verringertem Einschaltwiderstand ausführen werden kann. Das Problem eines randfreien Leistungstransistors mit maximaler Kanalweite wurde schon gelöst, aber die Transistoren mit maximaler Kanalweite benötigten drei geätzte Trenches.