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Selbstjustierende HV-Devices

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017670D
Original Publication Date: 2001-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

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Authors:
Dr. rer. nat. Christoph Ludwig [+details]

Abstract

Complimentary Metal Oxide Semiconductor (CMOS)-Transistoren für hohe Spannungsfestigkeit („Hochvolt-Devices“, im folgenden kurz HV-Devices) haben insbesondere für nichtflüchtige Halbleiterspeicher wie Flash und EEPROM eine besondere Bedeutung. Diese benötigen für den Schreib- und für den Löschvorgang typischerweise Spannungen im Bereich von 10-20V. Um solche Spannungen zu schalten, sind spezielle HV-Devices nötig. Diese unterscheiden sich von Standard-CMOS-Transistoren üblicherweise durch ihre große Fläche. Ein wesentliches Merkmal solcher HV-Devices besteht darin, die Source- und Drain-Bereiche vom Gate durch einen Abstand (S/D-Rückzug) zu trennen. Der S/D-Rückzug liegt typischerweise im Bereich von über 100nm. Für die gegenwärtige O,25 m m-Technologie hat der S/D –Rückzug speziell ein minimales Maß von ca. 150-200 nm. Die genaue Abmessung hängt vor allem von der erforderlichen Spannungsfestigkeit ab.