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Nutzung von AA-Dummystrukturen in großflächigen Poly-Poly Kapazitäten zur Homogenisierung des chemisch-mechanischen Polierens

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017692D
Original Publication Date: 2001-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Oliver Gehring Mayk Röhrich Stefanie Siegel [+details]

Abstract

In integrierten Schaltkreisen werden außer Transistoren und Widerständen auch Kapazitäten der unterschiedlichsten Bauformen verwendet. Die meisten Kapazitäten werden mit einer Polysiliziumschicht als erste Elektrode und Gateoxid als Isolator realisiert. Die zweite Elektrode bildet in diesem Falle das Substrat. Diese Kapazitäten haben den Nachteil, daß die Substratelektrode auf ein festes Potential geklemmt ist. Eine andere Art von Kapazität läßt sich durch zwei übereinander angeordnete Polysiliziumschichten mit einem dazwischenliegenden Isolator realisieren. Diese Kapazität liegt dann über einer dicken Oxidschicht, dem STI-Gebiet. Dadurch ist es möglich, beide Kondensatorplatten an beliebige Potentiale anzuschließen. Diese Kondensatoren eignen sich deshalb für Analoganwendungen. Nehmen sie aber eine größere Fläche ein, so kommt es beim STI-CMP-Prozeß zu einem Überpolieren des STI-Oxides. Das kann im Extremfall bis zum STI-Boden reichen. Ein solches Überpolieren kann zu folgenden Fehlern führen: · Kurzschluß der unteren Kondensatorplatten mit dem STI-Boden