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Hochvolt-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor (HV-JFET) mit p+-Porenfüllung

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017713D
Original Publication Date: 2001-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Volker Lehmann Dr. Jenö Tihanyi [+details]

Abstract

Hochvolt-Schalter mit einfacher Technologie zu entwickeln, ist ein aktuelles Themengebiet. Die Erhöhung der Blockierspannung, bei ausreichender Stromtragfähigkeit, wird ermöglicht durch die Idee von Herrn Oppermann (EP 0 344 514 B1) und die ähnliche US 5,111,254-Lösung, bei der in die relativ hochdotierte n-Driftstrecke hochdotierte p+-Gebiete/Fäden eingebracht werden. Diese Fäden erlauben, bei geeigneter Dimensionierung, eine stufenweise Potentialerhöhung im Blockierzustand, bei gleichzeitig hoher n-Dotierung und limitierter Feldstärke. Auch die Höhenschaltungsempfindlichkeit wird – wie dies angenommen wird – bei dieser Fadenlösung verbessert. Die Herstellung von geeignetem Halbleitermaterial ist zur Zeit nur mit mehrfacher Epitaxie möglich. Zudem ist für hohe Spannungen auch noch eine aufwendige planare Randpassivierung notwendig.