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Verfahren zum Aufwachsen von Wafern auf Subträger und bruchfreien Ablösen von gedünnten Wafern vom Subträger

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017721D
Original Publication Date: 2001-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Jürgen Högerl Johann Eibl Reinhard Mühlbauer [+details]

Abstract

Zum Bearbeiten von Wafern, werden diese auf einem Subträgern positioniert. Erst die Zuhilfenahme von Subträgern ermöglicht die Bearbeitung der extrem dünnen Wafer. Sollen die Wafer auf eine Dicke von unter 200 m m gedünnt werden (durch Ätzen oder Schleifen), sind herkömmliche Verfahren nicht geeignet. Bisher wurden die Wafer mit dem Subträger durch einen Stempel verpresst. Insbesondere bei Wafern größer als 3“ bildet sich bei diesem Verfahren eine leichte Wachslinse unter dem Wafer aus. Bedingt durch die Wachslinse kann die Dicke des Wafers nicht ausreichend homogen eingestellt werden. Wafer die nicht homogen gedünnt wurden, sind mechanisch nicht ausreichend belastbar um weitere Bearbeitungsschritte (Rückseitenprozesse - z.B. Fototechnik, Galvanik, Bedampfen etc.) an ihnen vorzunehmen. Um die Dicke der Wafer niedrig halten zu können, wird ein neues Verpressverfahren verwendet. Zudem werden die Wafer zur weiteren Bearbeitung nicht vom Wafer gelöst sondern durch die Verwendung von mechanisch belastbaren Subträgern, auf dem Subträger weiter bearbeitet. Es werden Subträger verwendet deren thermischer Ausdehnungskoeffizient mit dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Wafers harmoniert.