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Optimierte Verfahrensweise zur Reinigung von CVD-Kammern

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017723D
Original Publication Date: 2001-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

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Authors:
Dr. Markus Kirchhoff [+details]

Abstract

Das Beschichten von Silizium Wafern erfolgt in Plasma-Kammern durch die sog. Chemical Vapor Deposition (CVD). Die so entstehenden Schichten werden jedoch nicht nur auf dem Wafer aufgetragen, sondern lagern sich auch auf den Oberflächen der Kammer, innerhalb der Pumpleitung (4) und am Throttle Ventil ab. Die betreffenden Elemente der Kammer müssen daher einem regelmäßigen Reinigungsprozess unterzogen werden. Für D-CVD Anlagen existiert ein Reinigungsverfahren, welches das Reinigungsgas vor dem Eintritt in die Kammer durch ein Plasma in seine atomaren Bestandteile zerlegt. Die auf diese Weise entstandenen Fluoratome (Radikale) reagieren dann mit den auf dem Showerhead (6), dem Susceptor und an den Kammerwänden abgeschiedenen Schichten zu einem gasförmigen Produkt. Diese Form der Reinigung nimmt einen relativ großen Zeitraum in Anspruch, so dass sich die CVD-Kammer ca. 20 – 50% der Betriebszeit im Reinigungszyklus befindet.