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Halo-Implants als LDDs von I/Os und Analogdevices

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017787D
Original Publication Date: 2001-Jul-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Dr. Helmut Wurzer Karl-Heinz Gebhardt [+details]

Abstract

Neben Standardtransistoren besteht der Bedarf nach anologfähigen Transistoren und speziellen I/O Transistoren mit erhöhter Versorgungsspanung. Standardtransistoren bestehen derzeit aus MDDs kombiniert mit Halos (siehe Abb.1), sie weisen bedingt durch (ihre bzgl. LDDs) höhere Dotierung gegenüber den MDDs und Halos ein schlechteres Analogverhalten auf. Des Weiteren haben sie aufgrund ihrer nur eingeschränkten Tauglichkeit für erhöhte Versorgungsspannung nur eine eingeschränkte Lebensdauer. Um zusätzliche Devices wie Analog- und I/O Transistoren zu erzeugen, werden bisher getrennte Lithoebenen und Implantationen einegesetzt. Im einfachsten Fall erfordert dies 4 Lithoebenen und 6 Implantationen.