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Burried Layer Kontaktierung & Isolationsprozess für BICMOS und SPT Technologien

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017802D
Original Publication Date: 2001-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

Related People

Authors:
Rudolf Zelsacher Dietmar Kotz Thomas Krotscheck [+details]

Abstract

Bei derzeitigen Halbleiter-Herstellungsprozessen sind mehrere verschiedene Schritte zur Herstellung einer leitenden Verbindungsoberfläche zur burried layer (meist „Kollektor tief“ oder „n-Sinker" genannt) und zur Herstellung der Isolation (meist ein oder zwei p- Diffusionsschritte) notwendig. Dies geschah bisher durch Diffusionsprozesse, die zum Teil vor und zum Teil nach der Epitaxie gemacht wurden. Durch die hier beschriebene Erfindung soll dieser Gesamtprozeß vereinfacht werden. Mit denselben Arbeitsschritten soll erstens der Kontakt zu einer unter einer EPI-Schicht liegenden burried layer her- gestellt werden und zweitens (aber mit denselben Prozessschritten) eine Isolation von aktiven Gebieten voneinander erfolgen.