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Verhinderung der Ausdiffusion von implantierten Se-Atomen mit Deckschichten

IP.com Disclosure Number: IPCOM000017812D
Original Publication Date: 2001-Oct-01
Included in the Prior Art Database: 2003-Jul-23

Publishing Venue

Siemens

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Authors:
Dr. Anton Mauder Dr. rer. Nat. Hans-Joachim Schulze [+details]

Abstract

Nach der Ionenimplantation von Se kommt es bei einer nachfolgenden Diffusion zu einer Ausdiffusion aus dem Si, die stark von der gewählten Implantati- onsenergie abhängig ist. Das beschriebene Problem tritt nur bei Ionenimplan- tation auf. Bei Diffusion z. B. aus der Gasphase bzw. einer auf die Si-Oberfläche aufgebrachten Schicht als Quelle kann dieser Effekt nicht zum Tragen kommen.